|
Ultra Durable™ 5 - Najwyższa jakość układu zasilania procesora |
Najnowsze płyty główne z technologią Ultra Durable™
GIGABYTE po raz kolejny podnosi poprzeczkę w kwestii jakości i trwałości płyt głównych dzięki najnowszej technologii Ultra Durable™ 5, na którą składa się szereg wysokiej jakości komponentów zapewniających niezwykle stabilne i efektywne zasilanie sekcji procesora. Zapewnia to rekordową wydajność i wydłużą żywotność płyt głównych.
Układy scalone IR3550 PowIRstage®
Najwyżej oceniane i wielokrotnie nagradzane
• Dostarczają prąd o natężeniu do 60A, zachowując niską temperaturę.
• Idealne połączenie: Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 korzystają zarówno z cyfrowego kontrolera układu zasilania PWM jak i cewek dla uzyskania wyjątkowo płynnych dostaw zasilania.
• Szczytowa wydajność do 95%.
|
|
|
Podwójna ilość miedzi w PCB
Podwójna ilość miedzi w PCB zapewnia znacznie niższe temperatury pracy, poprawę efektywności energetycznej i większą stabilność podczas overclockingu.
Dławiki z rdzeniem ferrytowym
Dostarczają prąd o natężeniu do 60A, aby zapewnić najbardziej stabilne dostawy energii
* Specyfikacja komponentów może się różnić w zależności od modelu.
|
| |
Super stabilne i wydajne zasilanie |
 |
Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 wykorzystują układy scalone IR3550 PowIRstage®, które są w stanie dostarczyć prąd o natężeniu do 60A i charakteryzują się mniejszymi stratami energii, wyższą wydajnością i lepszym rozprowadzaniem ciepła. |
|
 |
Wszystkie elementy układu zostały połączone ze sobą za pomocą miedzianych, wysoko przewodzących ścieżek a nie tradycyjnych przewodów. Dzięki temu zredukowano starty energii do minimum.
|
Połączenia pomiędzy układami MOSFET również wykonano z miedzi, która najlepiej przewodzi prąd i dodatkowo rozprasza powstałe ciepło. |
Specjalny sterownik MOSFET firmy International Rectifier. |
Górny MOSFET (Control FET) posiada niskie napięcie bramki. Dolny MOSFET (SyncFET) posiada zintegrowaną Diodę Schottkiego, dla jak najwyższej efektywności.
|
Bardzo krótka droga od dołu urządzenia, poprzez kontrolę FET (cykl ON) lub Sync FET (Duty OFF cyklu) i przez miedź. To kolejny powód dla którego, urządzenie jest tak wytrzymałe i może dostarczać do 60A.
|
Specjalna miedziana ścieżka przewodząca odprowadza ciepło z dala od silikonu. |
|
|
Tradycyjny wygląd sekcji zasilania CPU |
Kontroler PWM |
Sterownik MOSFET |
Tradycyjne MOSFETy
górny i dolny MOSFET |
Dławik |
Kondensator |
CPU |
|
| |
Strefy sekcji zasilania Q & A
|
| |
Co to jest sekcja zasilania CPU?
Sekcja zasilania CPU łączy różne elementy płyty głównej, ktore są odpowiedzialne za dostarczenie zasilania do procesora (kontroler PWM, sterownik MOSFET, tradycyjne MOSFETy (górny i dolny), dławiki, kondensatory i związane z nimi obwody).
Co to jest MOSFET ?
MOSFET jest jednym z najważniejszych elementów strefy zasilania procesora, ponieważ jest to pierwszy przełącznik, który zezwala lub zapobiega przepływowi prądu do procesora. Przełącznik jest kontrolowany poprzez sterownik MOSFET i kontroler PWM. MOSFET należy do najbardziej kosztownych elementów konstrukcji zasilania.
Co to jest faza zasilania ?
Faza zasilania, to pojedynczy stabilizator napięcia procesora, który składa się zw sterownika MOSFETu, MOSFETu górnego oraz dolnego (lub czasami tylko z jednego tranzystora MOSFET). Fazy zasilania powstają dzisiaj przy wykorzystaniu wielu nowoczesnych technologii, dzięki czemu są coraz bardziej wydajne.
Co to jest tradycyjny MOSFET (również znany jako D-Pak MOSFET...) ?
Tradycyjny MOSFET to mniej zaawansowany układ tranystora MOSFET, który jest wykorzystywany w sekcji zasilania procesora, gdzie górny i dolny MOSFET oraz sterownik MOSFET stanowią 3 odrębne chipy. Jest to układ mniej wydajny niż ten jednochipowy PowIRStage, zastosowany przez GIGABYTE. |
|
|
| |
| |
| |
|
IR wykorzystała światowej klasy technologię scalania opracowaną dla DirectFET®, ulepszając wydajność cieplną układów scalonych PowIRstage®. |
| |
Pojedynczy układ scalony* |
vs. |
Układ wielo-chipowy |
|
| |
Sterownik IC |
| |
|
*zgł. patentowe |
|
|
|
Tradycyjny układ MOSFET składa się z wielu, połączonych ze sobą chipów: górnego i dolnego MOSFETU i sterownika. Poprzez łączenia między nimi, powstają straty energii i w związku z tym wydziela się również ciepło. |
 |
Górny MOSFET
(Tradycyjny MOSFET) |
| |
Dolny MOSFET
(Tradycyjny MOSFET) |
| |
Sterownik IC
(sterownik MOSFET) |
|
| |
|
|
| |
|
|
| |
| |
| |
| |
Ultra chłodzenie, Ultra wydajność, Ultra osiągi |
Wysoka wydajność = Mniejsze straty energii = Mniejsze wydzielanie ciepła = Dłuższa żywotność |
| |
| |
Układy scalone IR3550 PowIRstage® są bardziej wydajne i pracują w niższych temperaturach niż inne MOSFETy, co skutkuje dłuższą żywotnością oraz większymi możliwościami podkręcania.
|
| |
Tradycyjny MOSFET
Porównanie |
Lower RDS(on) MOSFET
do 40°C mniej |
Układy scalone IR3550 PowIRstage®
do 60°C mniej |
|
|
|
Wystarczająca |
Dobra |
Najlepszy |
|
| |
* Wyniki testów mają charakter poglądowy i mogą się różnić w zależności od konfiguracji systemu.
* Do 60° C niższa temperatura z 4 fazowymi IR3550 PowIRstage®, 2x więcej miedzi w PCB vs. 4 fazowy D-Pak MOSFET @ 100A, 10 minutowy test bez radiatora. |
| |
| |
Układy scalone IR3550 PowIRstage® zachowują niższą temperaturę niż tradycyjne MOSFETy, pozwalając na osiąganie wyższych poziomów wydajności podczas podkręcania. Każdy komponent ma określoną maksymalną temperaturę pracy, kiedy zostaje ona osiągnięta dalsze zwiększanie napięcia sprawi, że podkręcanie zakończy się porażką. Z uwagi na to, że układy scalone IR3550 PowIRstages® zachowują niższe temperatury przy wyższych napięciach, overckockerzy mają większe pole do popisu przy zwiększaniu napięcia, co daje im większy potencjał podkręcania.
|
Niższe temperatury = Lepsze możliwości podkręcania |
Stabilność MOSFETu podczas podkręcania |
|
Przegrzanie |
Brak mocy do podkręcania |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
Najlepszy |
|
 |
Niższe RDS(on)
MOSFET
(Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
Dobra |
|
 |
Tradycyjny MOSFET
(Znany jako D-Pak MOSFET... ) |
Wystarczająca |
|
|
|
| |
Komponenty odporne na wysokie natężenie |
Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 wyposażone są w układy scalone IR3550 PowIRstage®, ferrytowe dławiki o pojemności do 60A oraz podwójną ilość miedzi na PCB aby zapewnić najbardziej stabilne dostawy energii. |
Gwarancja jakości |
Nawet jeżeli część wysokiej jakości komponentów użytych w płytach głównych GIGABYTE z technologią Ultra Durable™jest niewidoczna z zewnątrz, na przykład kondensatory IR3550 PowIRstage® ICs czy podwójna ilość miedzi w PCB, to można być spokojnym, że pracują one nad tym, aby uzyskać lepszą wydajność, większą oszczędność energii, niższe temperatury, lepsze możliwości podkręcania oraz dłuższą żywotność. Oto właśnie gwarancja GIGABYTE Ultra Durable™.
|
|
PCB (płytka drukowana)
2 uncje miedzi na PCB = waga miedzi przypadająca na warstwę
30.48 cm x 30.48 cm (1 stopa kwadratowa) PCB to 56.7 g (2 oz)
|
Warstwa miedzi |
Grubość |
2x miedzi |
0.070mm (70 µm) |
1x miedzi |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Wysoko-pojemne
Cewki z rdzeniem
Dławik |
|
Kondensatory aluminiowo-polimerowe |
| |
|
Power Stage |
|
2x miedzi
wewnątrz PCB |
Warstwa sygnałowa |
|
|
Warstwa zasilająca |
|
|
| |
|
|
Nowe włókno szklane |
|
|
Warstwa zasilająca/masy |
|
|
Warstwa sygnałowa |
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
Zalety podwójnej ilości miedzi w PCB
|
|
Niższe
Temperatury |
Lepszy
Overclocking |
Lepsza wydajność
energetyczna
|
2x niższa
impedancja |
Niższe EMI |
Ochrona przed
ESD
|
|
| |
Podwójna ilość miedzi na płytce PCB zapewnia lepszą wydajność energetyczną oraz odprowadzanie ciepła ze strefy CPU. Jest to niezbędne dla zapewnienia obsługi większego obciążenia podczas podkręcania. |
Aby uzyskać więcej informacji na temat technologii Ultra Durable 5 kliknij tutaj microsite |
|
