Najnowsze płyty główne z technologią Ultra Durable™ GIGABYTE po raz kolejny podnosi poprzeczkę w kwestii jakości i trwałości płyt głównych dzięki najnowszej technologii Ultra Durable™ 5, na którą składa się szereg wysokiej jakości komponentów zapewniających niezwykle stabilne i efektywne zasilanie sekcji procesora. Zapewnia to rekordową wydajność i wydłużą żywotność płyt głównych.
GIGABYTE breaks Core i7 3770K OC World Record at 7102MHz with upcoming Z77X-UP7
IR3550 PowIRstage® Najwyżej oceniane i wielokrotnie nagradzane
• Providing power delivery rated up to 60A, while maintaining cool operating temperatures.
• Perfect Match: GIGABYTE Ultra Durable™ 5 motherboards use both IR digital PWM
controllers and IR PowIRstage® ICs, for a uniquely seamless power delivery system.
• Maksymalna wydajność do 95%
Optymalne zasilanie CPU
Podwójna ilość miedzi w wewnętrznych warstwach laminatu
Podwójna ilość miedzi w PCB zapewnia znacznie niższe temperatury pracy, poprawę efektywności energetycznej i większą stabilność podczas overclockingu.
Dławiki z rdzeniem ferrytowym
Dostarczają prąd o natężeniu do 60A, aby zapewnić najbardziej stabilne dostawy energii
* Specyfikacja komponentów może różnić się w zależności od modelu.
Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 wykorzystują układy scalone IR3550 PowIRstage®, które są w stanie dostarczyć prąd o natężeniu do 60A i charakteryzują się mniejszymi stratami energii, wyższą wydajnością i lepszym rozprowadzaniem ciepła.
Wszystkie elementy układu zostały połączone ze sobą za pomocą miedzianych, wysoko przewodzących ścieżek a nie tradycyjnych przewodów. Dzięki temu zredukowano starty energii do minimum.
Połączenia pomiędzy układami MOSFET również wykonano z miedzi, która najlepiej przewodzi prąd i dodatkowo rozprasza powstałe ciepło.
Specjalny sterownik MOSFET firmy International Rectifier.
Górny MOSFET (Control FET) posiada niskie napięcie bramki. Dolny MOSFET (SyncFET) posiada zintegrowaną Diodę Schottkiego, dla jak najwyższej efektywności.
Bardzo krótka droga od dołu urządzenia, poprzez kontrolę FET (cykl ON) lub Sync FET (Duty OFF cyklu) i przez miedź. To kolejny powód dla którego, urządzenie jest tak wytrzymałe i może dostarczać do 60A.
Specjalna miedziana ścieżka przewodząca odprowadza ciepło z dala od silikonu.
Tradycyjny wygląd sekcji zasilania CPU
Kontroler PWM
Sterownik MOSFET
Tradycyjne MOSFETy
górny i dolny MOSFET
Dławik
Kondensator
CPU
Strefy sekcji zasilania Q & A
Co to jest sekcja zasilania CPU?
Sekcja zasilania CPU łączy różne elementy płyty głównej, ktore są odpowiedzialne za dostarczenie zasilania do procesora (kontroler PWM, sterownik MOSFET, tradycyjne MOSFETy (górny i dolny), dławiki, kondensatory i związane z nimi obwody).
Co to jest MOSFET ?
MOSFET jest jednym z najważniejszych elementów strefy zasilania procesora, ponieważ jest to pierwszy przełącznik, który zezwala lub zapobiega przepływowi prądu do procesora. Przełącznik jest kontrolowany poprzez sterownik MOSFET i kontroler PWM. MOSFET należy do najbardziej kosztownych elementów konstrukcji zasilania.
Co to jest faza zasilania ?
Faza zasilania, to pojedynczy stabilizator napięcia procesora, który składa się zw sterownika MOSFETu, MOSFETu górnego oraz dolnego (lub czasami tylko z jednego tranzystora MOSFET). Fazy zasilania powstają dzisiaj przy wykorzystaniu wielu nowoczesnych technologii, dzięki czemu są coraz bardziej wydajne.
Co to jest tradycyjny MOSFET (również znany jako D-Pak MOSFET...) ?
Tradycyjny MOSFET to mniej zaawansowany układ tranystora MOSFET, który jest wykorzystywany w sekcji zasilania procesora, gdzie górny i dolny MOSFET oraz sterownik MOSFET stanowią 3 odrębne chipy. Jest to układ mniej wydajny niż ten jednochipowy PowIRStage, zastosowany przez GIGABYTE.
Pojedynczy układ scalony
IR wykorzystała światowej klasy technologię scalania opracowaną dla DirectFET®, ulepszając wydajność cieplną układów scalonych PowIRstage®.
Pojedynczy układ scalony*
vs.
Układ wielo-chipowy
Górny MOSFET
Sterownik IC
Dolny MOSFET
* zgł. patentowe
Tradycyjny układ MOSFET składa się z wielu, połączonych ze sobą chipów: górnego i dolnego MOSFETU i sterownika. Poprzez łączenia między nimi, powstają straty energii i w związku z tym wydziela się również ciepło.
Tradycyjny tranzystor MOSFET(Znany jako D-Pak MOSFET...)
3 pins (1 prawy, 2 lewy)
Stosunek wielkości pomiędzy obiektami jest stały
Sterownik "Driver IC" wyprodukowany przez firmę International Rectifier
IR3550 PowIRstage® został wyposażony w unikalny sterownik "MOSFET driver IC", który jest dedykowany specjalnie dla tego układu. Standardowo, firmy wykorzystują sterowniki różnych firm, które nie zawsze idealnie współgrają z danym MOSFETem. Dzięki temu, że sterownik w Power Stage jest zoptymalizowany pod kątem tego układu, osiąga on maksymalną wydajność.
zdjęcie rentgenowskie układu IR3550 Power Stage
Zdjęcie wnętrza układu IR3550 Power Stage
Ultra chłodzenie,Ultra wydajność,Ultra osiągi
Wysoka wydajność = Mniejsze straty energii = Mniejsze wydzielanie ciepła = Dłuższa żywotność
Układy scalone IR3550 PowIRstage® są bardziej wydajne i pracują w niższych temperaturach niż inne MOSFETy, co skutkuje dłuższą żywotnością oraz większymi możliwościami podkręcania.
Tradycyjny MOSFET
IR3550 PowIRstage®
* Wyniki testów mają charakter poglądowy i mogą się różnić w zależności od konfiguracji systemu. *4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase traditional MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink.
Układy scalone IR3550 PowIRstage® charakteryzują się większą wydajnością energetyczną i są najlepiej ocenianymi w branży tranzystorami, które mogą dostarczyćprąd o natężeniu do 60A. Zapewnia to bardziej stabilne działanie i lepsze możliwości podkręcania dzięki niezawodnym dostawom energii.
16 Tradycyjny MOSFET
4 Układ scalony PowIRstage®
up to 30°C
Lower
IR3550 PowIRstage® ICs są takie efektywne, że praca 4 układów PowIRstage® odpowiada pracy 16-stu standardowych tranzystorów MOSFET, pracując w temperaturze zniacznie niższej, nawet o 30 stopni.
* Wyniki testów mają charakter poglądowy i mogą się różnić w zależności od konfiguracji systemu. Configuration: Intel Core™ i7-3770K CPU, Default CPU frequency (3.5GHz), 1.2V Vcore, Default BIOS setting, DDR3 1333MHz, 500W PSU, CPU water cooling with no MOSFET heatsink. Software: Microsoft Windows® 7 running Power Thermal Utility at 100% loading.
Układy scalone IR3550 PowIRstage® zachowują niższą temperaturę niż tradycyjne MOSFETy, pozwalając na osiąganie wyższych poziomów wydajności podczas podkręcania. Każdy komponent ma określoną maksymalną temperaturę pracy, kiedy zostaje ona osiągnięta dalsze zwiększanie napięcia sprawi, że podkręcanie zakończy się porażką. Z uwagi na to, że układy scalone IR3550 PowIRstages® zachowują niższe temperatury przy wyższych napięciach, overckockerzy mają większe pole do popisu przy zwiększaniu napięcia, co daje im większy potencjał podkręcania.
Niższe temperatury = Lepsze możliwości podkręcania
Stabilność MOSFETu podczas podkręcania
Przegrzanie
Brak mocy do podkręcania
IR3550
PowIRstage®
Najlepszy
Lower RDS(on)
MOSFET (Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...)
Dobra
Tradycyjny MOSFET (Znany jako D-Pak MOSFET... )
Wystarczająca
Niesamowita wydajność nawet do 95%*
Układy scalone IR3550 PowIRstage® są bardziej wydajne, mogą osiągnąć nawet do 95% wydajności podczas normalnej pracy.
Nawet przy wyższych natężeniach, układy scalone IR3550 PowIRstage® są w stanie utrzymać niższe straty mocy. Mniejsze straty energii oznaczają jednocześnie mniejsze wytwarzanie ciepła.
* Wyniki testów mają charakter poglądowy i mogą się różnić w zależności od konfiguracji systemu.. VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, 400LFM chłodzone powietrzem, brak radiatora, 25°C temperatura otoczenia, 8-warstwowe PCB 3.7" (L) x 2.6" (W).
Obecnie dostępne MOSFETy
Power Stage (Znany jako IR3550 PowIRstage®)
Najwyższy koszt
Najwyższa wydajność
Najniższa temperatura
Lower RDS(on) MOSFET (Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...)
Nawet jeżeli część wysokiej jakości komponentów użytych w płytach głównych GIGABYTE z technologią Ultra Durable™jest niewidoczna z zewnątrz, na przykład kondensatory IR3550 PowIRstage® ICs czy podwójna ilość miedzi w PCB, to można być spokojnym, że pracują one nad tym, aby uzyskać lepszą wydajność, większą oszczędność energii, niższe temperatury, lepsze możliwości podkręcania oraz dłuższą żywotność. Oto właśnie gwarancja GIGABYTE Ultra Durable™.
PCB (płytka drukowana)
2 uncje miedzi na PCB = waga miedzi przypadająca na warstwę
30.48 cm x 30.48 cm (1 stopa kwadratowa) PCB to 56.7 g (2 oz)
Warstwa miedzi
Grubość
2x miedzi
0.070mm (70 µm)
1x miedzi
0.035mm (35 µm)
High Capacity Ferrite Core
Choke
Kondensatory aluminiowo-polimerowe
Power Stage
2x Copper Inner Layer
Warstwa sygnałowa
Warstwa zasilająca
Nowe włókno szklane
Warstwa zasilająca/masy
Warstwa sygnałowa
* Specyfikacja komponentów może różnić się w zależności od modelu
Zalety podwójnej ilości miedzi w PCB
Niższe
Temperatury
Lepszy
Overclocking
Lepsza wydajność
energetyczna
2x niższa
impedancja
Lower EMI
2x niższa
impedancja
Podwójna ilość miedzi na płytce PCB zapewnia lepszą wydajność energetyczną oraz odprowadzanie ciepła ze strefy CPU. Jest to niezbędne dla zapewnienia obsługi większego obciążenia podczas podkręcania.
Wszystkie prawa zastrzeżone. Cała zawartość tej strony, w tym teksty, grafika, loga, ikony przycisków, obrazy, pliki audio, materiały do pobrania, kompilacje danych oraz oprogramowanie, stanowi wyłączną własność firmy GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO.,LTD
