Wybieraj płyty z technologią Ultra Durable™
 
|
|
 
   



Ultra Durable™ 5 - Najwyższa jakość układu zasilania procesora
Najnowsze płyty główne z technologią Ultra Durable™
GIGABYTE po raz kolejny podnosi poprzeczkę w kwestii jakości i trwałości płyt głównych dzięki najnowszej technologii Ultra Durable™ 5, na którą składa się szereg wysokiej jakości komponentów zapewniających niezwykle stabilne i efektywne zasilanie sekcji procesora. Zapewnia to rekordową wydajność i wydłużą żywotność płyt głównych.

Układy scalone IR3550 PowIRstage®
Najwyżej oceniane i wielokrotnie nagradzane
• Dostarczają prąd o natężeniu do 60A, zachowując niską temperaturę.
• Idealne połączenie: Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 korzystają zarówno z cyfrowego kontrolera układu zasilania PWM jak i cewek dla uzyskania wyjątkowo płynnych dostaw zasilania.
• Szczytowa wydajność do 95%.
 
 
Optymalne zasilanie CPU

Podwójna ilość miedzi w wewnętrznych warstwach laminatu
Podwójna ilość miedzi w PCB zapewnia znacznie niższe temperatury pracy, poprawę efektywności energetycznej i większą stabilność podczas overclockingu.

Dławiki z rdzeniem ferrytowym
Dostarczają prąd o natężeniu do 60A, aby zapewnić najbardziej stabilne dostawy energii

* Specyfikacja komponentów może się różnić w zależności od modelu.
 

Super stabilne i wydajne zasilanie
Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 wykorzystują układy scalone IR3550 PowIRstage®, które są w stanie dostarczyć prąd o natężeniu do 60A i charakteryzują się mniejszymi stratami energii, wyższą wydajnością i lepszym rozprowadzaniem ciepła.
Wszystkie elementy układu zostały połączone ze sobą za pomocą miedzianych, wysoko przewodzących ścieżek a nie tradycyjnych przewodów. Dzięki temu zredukowano starty energii do minimum.

Połączenia pomiędzy układami MOSFET również wykonano z miedzi, która najlepiej przewodzi prąd i dodatkowo rozprasza powstałe ciepło.
Specjalny sterownik MOSFET firmy International Rectifier.
Górny MOSFET (Control FET) posiada niskie napięcie bramki. Dolny MOSFET (SyncFET) posiada zintegrowaną Diodę Schottkiego, dla jak najwyższej efektywności.
Bardzo krótka droga od dołu urządzenia, poprzez kontrolę FET (cykl ON) lub Sync FET (Duty OFF cyklu) i przez miedź. To kolejny powód dla którego, urządzenie jest tak wytrzymałe i może dostarczać do 60A.
Specjalna miedziana ścieżka przewodząca odprowadza ciepło z dala od silikonu.
Tradycyjny wygląd sekcji zasilania CPU

Kontroler PWM
Sterownik MOSFET
Tradycyjne MOSFETy
górny i dolny MOSFET
Dławik
Kondensator
CPU
 
Strefy sekcji zasilania Q & A
 
Co to jest sekcja zasilania CPU?
Sekcja zasilania CPU łączy różne elementy płyty głównej, ktore są odpowiedzialne za dostarczenie zasilania do procesora (kontroler PWM, sterownik MOSFET, tradycyjne MOSFETy (górny i dolny), dławiki, kondensatory i związane z nimi obwody).

Co to jest MOSFET ?
MOSFET jest jednym z najważniejszych elementów strefy zasilania procesora, ponieważ jest to pierwszy przełącznik, który zezwala lub zapobiega przepływowi prądu do procesora. Przełącznik jest kontrolowany poprzez sterownik MOSFET i kontroler PWM. MOSFET należy do najbardziej kosztownych elementów konstrukcji zasilania.

Co to jest faza zasilania ?
Faza zasilania, to pojedynczy stabilizator napięcia procesora, który składa się zw sterownika MOSFETu, MOSFETu górnego oraz dolnego (lub czasami tylko z jednego tranzystora MOSFET). Fazy zasilania powstają dzisiaj przy wykorzystaniu wielu nowoczesnych technologii, dzięki czemu są coraz bardziej wydajne.

Co to jest tradycyjny MOSFET (również znany jako D-Pak MOSFET...) ?
Tradycyjny MOSFET to mniej zaawansowany układ tranystora MOSFET, który jest wykorzystywany w sekcji zasilania procesora, gdzie górny i dolny MOSFET oraz sterownik MOSFET stanowią 3 odrębne chipy. Jest to układ mniej wydajny niż ten jednochipowy PowIRStage, zastosowany przez GIGABYTE.
 
 
 
Pojedynczy układ scalony
IR wykorzystała światowej klasy technologię scalania opracowaną dla DirectFET®, ulepszając wydajność cieplną układów scalonych PowIRstage®.
 
Pojedynczy układ scalony*
vs.
Układ wielo-chipowy
   
  Górny MOSFET
 
Sterownik IC
 
  Dolny MOSFET
*zgł. patentowe
 
Tradycyjny układ MOSFET składa się z wielu, połączonych ze sobą chipów: górnego i dolnego MOSFETU i sterownika. Poprzez łączenia między nimi, powstają straty energii i w związku z tym wydziela się również ciepło.
Górny MOSFET
(Tradycyjny MOSFET)
 
Dolny MOSFET
(Tradycyjny MOSFET)
 
Sterownik IC
(sterownik MOSFET)
   
 
 
 
 
 
Ultra chłodzenie,  Ultra wydajność,  Ultra osiągi
Wysoka wydajność = Mniejsze straty energii = Mniejsze wydzielanie ciepła = Dłuższa żywotność
 
 
Układy scalone IR3550 PowIRstage® są bardziej wydajne i pracują w niższych temperaturach niż inne MOSFETy, co skutkuje dłuższą żywotnością oraz większymi możliwościami podkręcania.

 
Tradycyjny MOSFET
Porównanie
Tranzystor Lower RDS (on) MOSFET
do 40°C mniej
IR3550 PowIRstage®
do 60°C mniej
Wystarczająca
Dobra
Najlepszy
 
* Wyniki testów mają charakter poglądowy. Rezultaty mogą różnić się w zależności od konfiguracji systemu.
*
Do 60° C niższa temperatura z 4 fazowymi IR3550 PowIRstage®, 2x więcej miedzi w PCB vs. 4 fazowy D-Pak MOSFET @ 100A, 10 minutowy test bez radiatora. 
 
 
Układy scalone IR3550 PowIRstage® zachowują niższą temperaturę niż tradycyjne MOSFETy, pozwalając na osiąganie wyższych poziomów wydajności podczas podkręcania. Każdy komponent ma określoną maksymalną temperaturę pracy, kiedy zostaje ona osiągnięta dalsze zwiększanie napięcia sprawi, że podkręcanie zakończy się porażką. Z uwagi na to, że układy scalone IR3550 PowIRstages® zachowują niższe temperatury przy wyższych napięciach, overckockerzy mają większe pole do popisu przy zwiększaniu napięcia, co daje im większy potencjał podkręcania.
Niższe temperatury = Lepsze możliwości podkręcania
Stabilność MOSFETu podczas podkręcania
Przegrzanie
Brak mocy do podkręcania
IR3550

PowIRstage®
Najlepszy
Tranzystor Lower RDS (on) MOSFET
(Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...)
Dobra
Tradycyjny MOSFET
(Znany jako D-Pak MOSFET... )
Wystarczająca
 

Komponenty odporne na wysokie natężenie

Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 5 wyposażone są w układy scalone IR3550 PowIRstage®, ferrytowe dławiki o pojemności do 60A oraz podwójną ilość miedzi na PCB aby zapewnić najbardziej stabilne dostawy energii.
 
Wysokiej jakości
układy scalone
Ferrytowe dławiki dostarczające prąd o natężeniu do 60A
  Podwójna ilość miedzi w PCB
  * Specyfikacja komponentów może różnić się w zależności od modelu



Gwarancja jakości

Nawet jeżeli część wysokiej jakości komponentów użytych w płytach głównych GIGABYTE z technologią Ultra Durable™jest niewidoczna z zewnątrz, na przykład kondensatory IR3550 PowIRstage® ICs czy podwójna ilość miedzi w PCB, to można być spokojnym, że pracują one nad tym, aby uzyskać lepszą wydajność, większą oszczędność energii, niższe temperatury, lepsze możliwości podkręcania oraz dłuższą żywotność. Oto właśnie gwarancja GIGABYTE Ultra Durable™.

PCB (płytka drukowana)
2 uncje miedzi na PCB = waga miedzi przypadająca na warstwę
30.48 cm x 30.48 cm (1 stopa kwadratowa) PCB to 56.7 g (2 oz)

Warstwa miedzi
Grubość
2x miedzi
0.070mm (70 µm)
1x miedzi
0.035mm (35 µm)
Wysoko-pojemne
Cewki z rdzeniem
ferrytowym
 
Kondensatory aluminiowo-polimerowe
   
Power Stage
 
2X więcej miedzi
wewnątrz PCB
Warstwa sygnałowa
   
Warstwa zasilająca
   
     
Nowe włókno szklane
   
Warstwa zasilająca/masy
   
Warstwa sygnałowa
   
     
     
Zalety podwójnej ilości miedzi w PCB
Niższe temperatury Lepszy
Overclocking
Wydajność
energetyczna
2x niższa
impedancja
Niższe EMI Ochrona przed
ESD

 
Podwójna ilość miedzi na płytce PCB zapewnia lepszą wydajność energetyczną oraz odprowadzanie ciepła ze strefy CPU. Jest to niezbędne dla zapewnienia obsługi większego obciążenia podczas podkręcania.



  Aby uzyskać więcej informacji na temat technologii Ultra Durable 5 kliknij tutaj: Gigabyte Ultra Durable 5 microsite




Ultra Durable™ 4 - Płyty główne GIGABYTE z nową technologią

  Tranzystor Lower RDS (on) MOSFET Jakość komponentów tworzy jakość płyt głównych
  Tył płyty Przód płyty
 
True Digital PWM B
for Memory and VTT
True Digital PWM A
for CPU and Intel® HD Graphics
 


 
Cool Design
Płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable™
Since the middle of 2011, GIGABYTE's entire range of motherboards no longer use D-Pak MOSFETs for the CPU power design
 
Tradycyjny MOSFET
Porównanie
Lower RDS(on) MOSFET
do 40°C mniej
 
 
 
 
gorące
zimne
 
 
 
 
* Wyniki testów mają charakter poglądowy. Rezultaty mogą różnić się w zależności od konfiguracji systemu.
* Do 60° C niższa temperatura z 4 fazowymi IR3550 PowIRstage®, 2x więcej miedzi w PCB vs. 4 fazowy D-Pak MOSFET @ 100A, 10 minutowy test bez radiatora.
 
Lower RDS(on) MOSFET
(Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...)
Wysoki koszt
 
Dobra wydajność
Niska temperatura
Tradycyjny MOSFET
(Znany jako D-Pak MOSFET... )
Niski koszt
 
Niska wydajność
Wysoka temperatura
 
   
Lower RDS(on) MOSFET
(Znany jako WPAK, PowerPAK MOSFET...)
  8 pins
4 right, 4 left
Tradycyjny MOSFET (Znany jako D-Pak MOSFET...)
  3 pins
1 prawy, 2 lewy
  Stosunek wielkości pomiędzy obiektami jest stały
 
Niższe temperatury = Lepsze możliwości podkręcania
 
Przegrzanie
 
Brak mocy do podkręcania
 



Podwójna ilość miedzi w wewnętrznych warstwach laminatu

Cechami wyróżniającymi płyty główne zbudowane w oparciu o technologię Ultra Durable 4 są: dłuższy czas bezawaryjnej pracy (średnio 50 000 godzin) dzięki japońskim kondensatorom aluminiowo - polimerowym o podwyższonej trwałości; cewki z rdzeniem ferrytowym, które odznaczają się wyższą wydajnością energetyczną w porównaniu z typowymi cewkami ; oraz tranzystory MOSFET o niskim RDS (on), które charakteryzują się niższa rezystancją oraz poborem mocy, a tym samym zmniejszonym generowaniem ciepła. Seria płyt głównych GIGABYTE Ultra Durable 3 zapewnia większą stabilność, niezawodność i długowieczność niezbędną do zaspokojenia potrzeb zasilania wysokiej klasy procesorów i innych komponentów współpracujących z dzisiejszymi, nawet najbardziej wymagajacymi aplikacjami czy grami.


Cewki z rdzeniem ferrytowym
 
50,000 hr.
Japońskiie kondensatory
aluminiowo-polimerowe
Tranzystory    
z niskim RDS(on)
  
 
2X więcej miedzi
wewnątrz PCB
Warstwa sygnałowa
   
Izolator
     
Warstwa zasilająca
     
       
     
Rdzeń
     
       
     
Warstwa zasilająca/masy
     
Izolator
     
Warstwa sygnałowa
     
PCB (płytka drukowana)
2 oz copper PCB = waga miedzianej warstwy
30.48 cm x 30.48 cm PCB - 56.7 g (2 oz)


Warstwa miedzi
Grubość
2x
0.070mm (70 µm)
1x
0.035mm (35 µm)
Korzyści z zastosowania podwójnej ilości miedzi:
• Niższa temperatura pracy
• Większa trwałość
• Poprawa efektywności energetycznej
• Łatwiejszy overclocking
 
   
Niższe temperatury Lepszy
Overclocking
Wydajność
energetyczna
2x niższa
impedancja
Niższe EMI Ochrona przed
ESD





Ochrona przed wilgocią
Nowe PCB wykonane z włókna szklanego
Nowa konstrukcja włókna szklanego zastosowana w płytkach PCB utrudnia wilgoci penetrację wgłąb tworzywa. Dzieje się tak dzięki zmniejszonym odstępom pomiędzy poszczególnymi jego włóknami. Gwarantuje to znacznie lepszą ochronę płyty głównej przed awariami spowodowanymi obecnością wilgoci, w porównaniu do standardowej PCB.
Nowy
Nowe PCB wykonane z włókna szklanego
Tradycyjny materiał PCB
Tradycyjny





Ochrona przed wyładowaniami elektrostatycznymi
Układ scalony o wysokiej odporności
Wszystkie płyty główne GIGABYTE z technologią Ultra Durable ™ 4 zostały wyposażone w wysokiej jakości chipy IC, które cechują się większą odpornością na wyładowania elektrostatyczne (ESD) niż tradycyjne IC.
Układ scalony o wysokiej odporności
Tradycyjny układ scalony






Ochrona przed skutkami zaniku zasilania
DualBIOS™
Wszystkie płyty GIGABYTE z technologią Ultra Durable™ 4 korzystają z
opatentowanej technologii DualBIOS™, która zapewnia ochronę BIOSu
automatycznie odświeżając go z kopii zapasowej, w przypadku wystąpienia
problemów z zasilaniem.
Odzyskiwanie BIOSu
 
Płyty główne GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 również są wyposażone w specjalne antyprzepięciowe układy scalone, które chronią płytę główną, przed skokami napięcia, co gwarantuje, że Twój komputer jest w pełni bezpieczny.


 
Układ scalony chroniący przed skokami napięć
Bez układu scalonego chroniącego przed skokami napięć
* Układy mogą się różnić w zależności od modelu





Ochrona przed wysoką temperaturą
Kondensatory polimerowe ; Lower RDS(on) MOSFETs
Dzięki specjalnie wyselekcjonowanym komponentom, które są bardziej odporne na wysokie temperatury płyta główna jest lepiej chroniona przed przegrzaniem. Również dzięki zastosowaniu polimerowych kondensatorów ogólna charakterystyka cieplna płyty głównej jest lepsza i stabilniejsza.


 
Kondensator
Kondensatory polimerowe
Tradycyjne kondensatory
 
 
Tranzystor MOSFET
 
Tranzystor Lower RDS (on) MOSFET
 
Tradycyjny tranzystor MOSFET
* Tranzystory Lower RDS (on) MOSFET mogą się różnić w zależności od modelu


 
 



 

Poleć stronę na Facebook i Twitter:  
Wszystkie prawa zastrzeżone. Cała zawartość tej strony, w tym teksty, grafika, loga, ikony przycisków, obrazy, pliki audio, materiały do pobrania, kompilacje danych oraz oprogramowanie, stanowi wyłączną własność firmy GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO.,LTD