Dzięki połączeniu układów MOSFET i sterownika IC, płyty główne z serii GIGABYTE z serii AMD 900 gwarantują lepszy transfer energii i wyższą wydajność przy wysokich częstotliwościach, zapewniając odpowiednie zasilanie najnowszych procesorów.
2x PowerMOS
+ 1 x Driver IC
Powierzchnia
zredukowana
o 50% !
Tradycyjny MOSFET + Driver IC
Driver MOSFET
Wydajność energetyczna
Korzyści z zastosowania technologii GIGABYTE Ultra Durable 3 z tranzystorami Driver MOSFET
GIGABYTE's Ultra
Durable 3 with
Driver MOSFETs
Tradycyjny design
Wydajność energetyczna
Dobra
Niska
Strata energetyczna na komponentach
Niska
Duża
Generacja ciepła
Niska
Duża
Trwałość
Duża
Niska
Czym jest technologia GIGABYTE Ultra Durable ™ 3?
Cechy charakterystyczne płyt głównych z zastosowaniem technologii GIGABYTE Ultra Durable™ 3 to japońskie kondensatory aluminiowo-polimerowe o podwyższonej trwałości, podwójna ilość miedzi wewnątrz PCB, cewki z rdzeniem ferrytowym oraz tranzystory MOSFET o niskim współczynniku RDS(on). Technologia ta zapewnia niższą temperaturę i lepszą wydajność energetyczną płyty głównej.
PCB (płytka drukowana)
2 oz copper PCB = waga miedzianej warstwy
30.48 cm x 30.48 cm PCB - 56.7 g (2 oz)
Warstwa miedzi
Grubość
2x
0.070mm (70 µm)
1x
0.035mm (35 µm)
Niższe temperatury
Lepszy
Overclocking
Wydajność
energetyczna
2x niższa
impedancja
Niższe EMI
Ochrona przed
ESD
Poleć stronę na Facebook i Twitter:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Cała zawartość tej strony, w tym teksty, grafika, loga, ikony przycisków, obrazy, pliki audio, materiały do pobrania, kompilacje danych oraz oprogramowanie, stanowi wyłączną własność firmy GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO.,LTD